Комп’ютерне моделювання структури та характеристик транзисторів на основі нанодротів

Микитенко, В.Г.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/92230

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Комп’ютерне моделювання структури та характеристик транзисторів на основі нанодротів
Other Titles	Computer simulation of structures and characteristics of transistors based on nanowires
Authors	Микитенко, В.Г.
ORCID
Keywords	нанодроти польові транзистори комп’ютерне моделювання електричні параметри температурні характеристики nanowires field-effect transistors computer modeling electrical parameters temperature characteristics
Type	Bachelous Paper
Date of Issue	2023
URI	https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/92230
Publisher	Відокремлений структурний підрозділ "Класичний фаховий коледж Сумського державного університету"
License	Copyright not evaluated
Citation	Микитенко В. Г. Комп’ютерне моделювання структури та характеристик транзисторів на основі нанодротів : робота на здобуття кваліфікаційного ступеня бакалавра : спец. 171 - електроніка / наук. кер. І. П. Бурик. Конотоп : Відокремлений структурний підрозділ "Класичний фаховий коледж Сумського державного університету", 2023. 43 с.
Abstract	Обгрунтуванням актуальності теми є потенціал польових транзисторів із каналами на основі нанодротів для наноелектроніки та їх можливості впливати на покращення продуктивності та функціональності електронних пристроїв. Мета роботи полягає у розробці та застосуванні комп’ютерних моде-лей структури та електронних характеристик польових транзисторів із кана-лами на основі нанодротів. Відповідно до мети, вирішувалися такі задачі: - вивчення моделей, які враховують особливості характеристик польових транзисторів із каналами на основі нанодротів; - аналіз температурних залежностей польових транзисторів із каналами на основі нанодротів кремнію Для досягнення цієї мети були використані методи комп’ютерного моде-лювання у програмному середовищі Silvaco ТCAD. У роботі використано комп’ютерне моделювання для аналізу характе-ристик транзисторів на основі нанодротів кремнію. Спочатку розроблено комп’ютерну модель, яка описує структуру цих елементів і їх електричні властивості. Далі проведене числове моделювання, використовуючи методи розв'язання диференціальних рівнянь в рамках дрейф-дифузiйної моделi. Об'єкт досліджень: транзистори із каналами на основі нанодротів. Предмет досліджень: комп'ютерне моделювання структури та характе-ристик цих транзисторів.
Appears in Collections:	Кваліфікаційні роботи здобувачів вищої освіти (КІ)