Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/91704
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Напівпровідникові діоди: теоретична оцінка і вимірювання параметрів
Authors Костян, М.О.
ORCID
Keywords напівпровідниковий діод
вольт-амперні характеристики
прогнозування параметрів
одновимірна діодна модель
Type Masters thesis
Date of Issue 2023
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/91704
Publisher Сумський державний університет
License Copyright not evaluated
Citation Костян М. О. Напівпровідникові діоди: теоретична оцінка і вимірювання параметрів : робота на здобуття кваліфікаційного ступеня магістра : спец. 171 - електроніка / наук. кер. Л. В. Однодворець. Суми : Сумський державний університет, 2023. 29 с.
Abstract Актуальність теми роботи. Актуальність роботи обумовлена широким використанням напівпровідникових діодів різного функціонального призначення: випрямних, імпульсних, високочастотних і надвисокочастотних діодів, діодів Шотткі, стабілітронів, варикапів, світло випромінюючих та фотодіодів, а також їх перевагами перед електронними двоелектродними лампами: економія енергії для одержання носіїв струму, мініатюрність, висока надійність і тривалий ресурс роботи. Мета роботи полягала у вивченні конструктивно-технологічних особливостей та фізики процесів в напівпровідникових діодах різного функціонального призначення і типономіналів, розрахунку параметрів діодів на основі одновимірної діодної моделі, порівнянні результатів вимірювань та розрахунків. Методи: використання лабораторного стенду для вимірювань параметрів і хараактеристик діодів різного функціонального призначення і типономіналу; розрахунковий метод на основі одновимірної діодної моделі. Отримані результати: 1. Розглянуто фізичні основи функціонування, класифікацію, особливості конструкцій, робочі параметри і характеристики та переваги напівпровідникових діодів різних типономіналів та функціонального призначення. 2. Порівняння експериментальних і розрахункових даних для промислового діода типу КД268А показало, що відхилення між цими даними становить від 5,4 до 47,0% в інтервалі зміни прямої напруги від 0 до 3 В, що може бути пояснено тим, що одновимірна модель діода не враховує деякі фізичні ефекти, такі як ефекти поверхневої генерації і рекомбінації носіїв заряду, рівень інжекції та явище теплоперенесення, які впливають на параметри напівпровідникової структури. 3. Аналіз вольт-амперних характеристик діодів Шотткі типу Д237Б та імпульсного діода типу КД522А показує, що характер залежності прямої гілки ВАХ для діодів відрізняються: експоненціальна залежність і діапазон прямого струму 0-10 мА (діод Шотткі) та гілка, яка має максимум і мінімум та діапазон прямого струму 0 - 0,15 А (імпульсний діод).
Appears in Collections: Кваліфікаційні роботи здобувачів вищої освіти (ЕлІТ)

Views

Ukraine Ukraine
719
United Kingdom United Kingdom
16
United States United States
718
Unknown Country Unknown Country
207

Downloads

France France
1
Germany Germany
7
Netherlands Netherlands
1
Ukraine Ukraine
717
United States United States
1661
Unknown Country Unknown Country
1

Files

File Size Format Downloads
Kostyan_mag_rob.pdf 731,88 kB Adobe PDF 2388

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.