Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/87463
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Structural, Optical and Electrical Properties of rGO@SnO2 Nanopowder Obtained via Chemical Co-precipitation Method
Other Titles Структурні, оптичні та електричні властивості нанопорошку rGO@SnO2, отриманого методом хімічного співосадження
Authors Jagat, Pal Singh
Joshi, G.C.
ORCID
Keywords оксид металу
rGO
FESEM
XRD
оксид олова
заборонена зона
metal oxide
tin oxide
band gap
Type Article
Date of Issue 2022
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/87463
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation Jagat Pal Singh, G.C. Joshi, J. Nano- Electron. Phys. 14 No 1, 01028 (2022). DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.14(1).01028
Abstract Для синтезу нанопорошку rGO@SnO2 використовується техніка хімічного співосадження. Серед різноманітних оксидів металів SnO2 є напівпровідником n-типу з широкою забороненою зоною 3,64 еВ при кімнатній температурі, який широко використовується в різних додатках, таких як датчики, прозорі провідні електроди, оптоелектронні пристрої, фотокаталізатори, літій-іонні батареї та сонячні елементи. При аналізі спектрів рентгенівської дифракції (XRD) розмір кристалітів наночастинок становить 2,15 нм. Інфрачервона спектроскопія з перетворенням Фур'є (FTIR) показує розтяжні та коливальні режими зв'язку метал-кисень при 662 см – 1, підтверджує наявність антисиметричного містка O–Sn–O і появу піків при 1387 см – 1 та 1635 см – 1 за рахунок зв'язків C–H та C=C відповідно. Зображення автоелектронної скануючої мікроскопії (FESEM) показує, що розмір нанокристалітів менше 10 нм. Оптична ширина забороненої зони (OBG) нанопорошку rGO@SnO2, розрахована за допомогою аналізу графіка Тауца, становить 3,53 еВ, що менше, ніж OBG чистого SnO2. Провідність та питомий опір нанопорошку rGO@SnO2 розраховано за вольт-амперними характеристиками.
The chemical co-precipitation technique is used to synthesize rGO@SnO2 nanopowder. Among a variety of metal oxides, SnO2 is an n-type semiconductor with a broad band gap of 3.64 eV at room temperature, which is widely used in different applications such as sensors, transparent conducting electrodes, optoelectronic devices, photocatalysts, lithium-ion batteries, and solar cells. When analyzing the X-ray diffraction (XRD) spectra, the crystallite size of nanoparticles is 2.15 nm. Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) shows the stretching and vibrational modes of the metal-oxygen bond at 662 cm – 1, confirms the presence of antisymmetric O–Sn–O bridge and the appearance of peaks at 1387 cm – 1 and 1635 cm – 1 due to C–H and C=C bonds, respectively. Field emission scanning electron microscopy (FESEM) image shows that the size of nanocrystallites is less than 10 nm. The optical band gap (OBG) of rGO@SnO2 nanopowder is calculated using Tauc plot analysis and is 3.53 eV, which is less than OBG of pure SnO2. Conductivity and resistivity of rGO@SnO2 nanopowder are calculated from the I-V characteristics.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

China China
1
Finland Finland
289
Germany Germany
1
Greece Greece
1
Hong Kong SAR China Hong Kong SAR China
1
India India
21032
Indonesia Indonesia
1
Iran Iran
1
Ireland Ireland
149023
Italy Italy
1
Lithuania Lithuania
1
South Korea South Korea
74514
Ukraine Ukraine
24307708
United Kingdom United Kingdom
1241464
United States United States
70440194
Unknown Country Unknown Country
1
Vietnam Vietnam
301

Downloads

Algeria Algeria
1
Canada Canada
1
China China
70440194
Germany Germany
996293
India India
74510
Indonesia Indonesia
3969564
Lithuania Lithuania
1
South Korea South Korea
7939122
Ukraine Ukraine
13395318
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
24307707
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Jagat_Pal_Singh_jnep_1_2022.pdf 489,66 kB Adobe PDF 121122713

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.