Електронні сенсори на основі анізотропного магніторезистивного ефекту

Abstract

Мета даної роботи полягала у вивченні принципів роботи і основних робочих параметрів електронних сенсорів на основі анізотропного магніторезистивного ефекту, а також у проведенні розрахунків чутливості до магнітого поля тонкоплівкового елементу АМР-сенсора. Кваліфікаційна робота магістра складається з трьох розділів. У першому розділі було розглянуто причини виникнення анізотропного магніторезистивного ефекту, принцип дії та конструкції АМР сенсорів. У другому розділі було розглянуто застосування феромагнітних тонкоплівкових систем, таких як Со/Сr(Cu)/Co та Сo/Gd/Co, Fe/Gd/Fe, при формуванні чутливих елементів сенсорів магнітного поля. Показано, що дані системи можуть бути використані при створенні магнітних датчиків повороту, детектування магнітних полів та індукційних пристроїв, які використовують для запису інформації. У третьому розділі проведені розрахунки величини чутливості до магнітного поля для тришарових систем: (Co(5)/Ag(dAg)/Py(30)) та (Co(30)/Ag(dAg)/Py(5)), де dAg = 3-15 нм. Показано, що найбільша величина чутливості до магнітного поля SВ для зразків у свіжосконденсованому стані дорівнює 5,21 %/Тл, а процес термовідпалювання спричиняє її зростання.