Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/85287
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title High Pressure Growth Approach for the Preparation of Reduced Graphene Oxide and its Investigation Using Raman Spectroscopy
Other Titles Метод вирощування при високому тиску для одержання відновленого оксиду графену і його дослідження за допомогою Раманівської спектроскопії
Authors Thakran, Mamta
Kumar, Sumeet
Phogat, Rohit
Ray, S.K.
Brajpuriya, R.
Rana, Abhimanyu Singh
Kumar, Brijesh
ORCID
Keywords вирощування при високому тиску
модифікований метод Хаммера
Раманівська спектроскопія
оксид графену
відновлений оксид графену
high pressure growth
modified Hummers method
Raman spectroscopy
graphene oxide
reduced graphene oxide
Type Article
Date of Issue 2021
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/85287
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation Mamta Thakran, Sumeet Kumar, Rohit Phogat, et al., J. Nano- Electron. Phys. 13 No 4, 04015 (2021). DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.13(4).04015
Abstract Похідні графену демонструють надзвичайні механічні, оптичні та електронні властивості, які викликали високий науковий інтерес, і мають величезний потенціал для використання у різних додатках. Раманівська спектроскопія є універсальним інструментом для характеристики та ідентифікації хімічних та фізичних властивостей похідних графену. Ми описуємо основні процеси раманівського розсіювання режимів першого (G) та другого порядку (D, G*, 2D, G + D, 2G), які мають місце в оксиді графену (GO) та відновленому оксиді графену (r-GO), підготовлених методом вирощування при високому тиску. Для r-GO лінії розширені і трохи зміщені в червону область для всіх смуг порівняно з GO через розвинення деформації під час вирощування при високому тиску (гідротермальний процес) в результаті видалення функціональних груп кисню. Обговорюється нормалізоване відношення інтенсивностей (ID/IG) для GO та r-GO. В обох зразках відношення ID/IG є високим, що свідчить про малі розміри GO та r-GO та наявність турбостратичного вуглецю та невпорядкованих структур. Зіставлення піків 2D-смуги демонструє чотири Лоренцівські піки, а інтенсивність 2D-смуги у порівнянні із Gсмугою сильно зменшується, що підтверджує, що ми успішно синтезували двошаровий/тришаровий GO та r-GO. Для GO та r-GO розраховано розмір кристалітів (La). Існування 2D-смуги підтверджує, що ми успішно синтезували високоякісні GO та r-GO.
Graphene derivatives show extraordinary mechanical, optical, and electronic properties, which gave rise to high scientific interest and huge potential for a variety of applications. Raman spectroscopy is a versatile tool to characterize and identify the chemical and physical properties of graphene derivatives. We describe essential Raman scattering processes of the first- (G) and second-order (D, G*, 2D, G + D, 2G) modes in GO and r-GO prepared by a high-pressure growth approach. In r-GO, the linewidth is broadened and slightly red-shifted in all the bands, in comparison with GO because of strain development during the high-pressure growth approach (hydrothermal process) as a result of removal of oxygen functionalities. A normalized intensity ratio (ID/IG) for GO and r-GO is discussed. In both the samples, ID/IG is high which indicates the small size of GO and r-GO and the presence of turbostratic carbon and disordered structures. The peak fitting of the 2D band exhibits four Lorentzian peaks, and the intensity of the 2D band with respect to the G band is strongly reduced, which confirms that we have successfully synthesized bilayer/ trilayer GO and r-GO. For GO and r-GO, the crystallite size (La) is calculated. The existence of the 2D band confirms that we have successfully synthesized high-quality GO and r-GO.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Australia Australia
187739
China China
-1757909966
France France
1
Germany Germany
1568325402
Hong Kong SAR China Hong Kong SAR China
1568325405
India India
603079109
Ireland Ireland
1568325403
Italy Italy
1
Japan Japan
1
Lithuania Lithuania
38653898
Mexico Mexico
603079112
Norway Norway
1
Singapore Singapore
1
South Korea South Korea
250958212
Spain Spain
1
Sweden Sweden
1
Taiwan Taiwan
603079102
Ukraine Ukraine
850637900
United Kingdom United Kingdom
2046041334
United States United States
1496111755
Unknown Country Unknown Country
850637899
Vietnam Vietnam
134525552

Downloads

Canada Canada
1
China China
1496111756
France France
1
Germany Germany
603079111
India India
603079108
Ireland Ireland
20090034
Italy Italy
1
Lithuania Lithuania
1
Mexico Mexico
1382
Singapore Singapore
1394
South Korea South Korea
1
Taiwan Taiwan
1
Ukraine Ukraine
250958211
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
1496111755
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Mamta_Thakran_jnep_4_2021.pdf 521,67 kB Adobe PDF 174465463

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.