Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/72876
Title: Структурні, електрофізичні та оптичні властивості плівок CdZnTe та приладові структури на їх основі
Authors: Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych 
Keywords: детектори радіаційного випромінювання
напівпровідники
плівки
структура
Cd1-xZnxTe
оптичні властивості
електрофізичні властивості
елементний склад
детекторы радиационного излучения
полупроводники
пленки
структура
оптические свойства
электрофизические свойства
элементный состав
radiation detectors
semiconductors
films
structure
optical properties
electrophysical properties
elementary composition
Issue Year: 2019
Publisher: Сумський державний університет
Citation: Знаменщиков, Я.В. Структурні, електрофізичні та оптичні властивості плівок CdZnTe та приладові структури на їх основі [Текст]: дисертація ... канд. фіз.-мат. наук, спец.: 01.04.01 – фізика приладів, елементів і систем / Я.В. Знаменщиков; наук. кер. В.В. Косяк. - Суми: СумДУ, 2019. - 150 с.
Abstract: Дисертаційна робота присвячена комплексному дослідженню структурних, електрофізичних та оптичних властивостей полікристалічних плівок Cd1-xZnxTe (CZT) для використання в детекторах радіаційного випромінювання, встановленню впливу елементного складу на фізичні властивості плівок, визначенню параметрів основних пасткових центрів, що впливають на проходження струму в матеріалі. Установлені взаємозв’язки між елементним складом плівок CZT та їх структурними, субструктурними, оптичними, електричними властивостями можуть бути використані для подальшого створення детекторів радіаційного випромінювання та інших приладів оптоелектроніки. Створено прототипи чутливих до радіаційного випромінювання детекторів на основі товстих плівок CZT. Показано, що вимірювання фоточутливості може бути використане для оцінювання детекторних властивостей полікристалічних плівок CZT з метою подальшого їх використання як детекторів радіації. Уперше проведено моделювання процесу рекомбінації нерівноважних носіїв заряду в детекторних структурах на основі плівок твердих розчинів. У результаті моделювання визначено параметри основних пасткових центрів, що впливають на проходження електричного струму в матеріалі.
Диссертационная работа посвящена комплексному исследованию структурных, электрофизических и оптических свойств поликристаллических пленок Cd1-xZnxTe (CZT) для использования в детекторах радиационного излучения, изучению влияния элементного состава на физические свойства пленок, определению параметров основных ловушечных центров, влияющих на протекание тока в материале. Установленые взаимосвязи между элементным составом пленок CZT и их структурными, субструктурными, оптическими, электрическими свойствами могут быть использованы для дальнейшего создания детекторов радиационного излучения и других приборов оптоэлектроники. Изготовлены прототипы чувствительных к радиационному излучению детекторов на основе толстых пленок CZT. Показано, что возбуждающее световое излучение видимого диапазона может быть использовано для оценки детекторных свойств поликристаллических пленок CZT с целью дальнейшего их использования в качестве детекторов радиации. Впервые проведено моделирование процесса рекомбинации неравновесных носителей заряда в детекторных структурах на основе пленок CZT. В результате моделирования были определены параметры доминирующих ловушечных центров, влияющих на протекание электрического тока в материале.
The PhD thesis is devoted to the complex study of structural, electrophysical and optical properties of polycrystalline Cd1-xZnxTe (CZT) films for application in radiation detectors, determination of the chemical composition effect on physical properties of the films, determination of the parameters of free-carriers trap centers influencing the current flow in the material. The established relationships between the chemical elemental composition of CZT films and their structural, microstructural, optical, and electrical properties can be used for the further development of radiation detectors and other optoelectronic devices. The prototypes of radiation detectors based on thick CZT polycrystalline films have been manufactured. The modeling of the recombination process of nonequilibrium charge carriers in detector structures based on CZT films was carried out for the first time. As a result of modeling, the parameters of the main trap centers, which influence the flow of electric current in the material, have been determined.
URI: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/72876
Type: Thesis
Appears in Collections:Дисертації

Views
Other26
Downloads
Other38


Files in This Item:
File Description SizeFormatDownloads 
diss_Znamenshchykov.pdf4.78 MBAdobe PDF10Download
critique_Ilchuk.pdf5.28 MBAdobe PDF16Download
critique_Khrypunov.pdf3.52 MBAdobe PDF12Download


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.