Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/72761
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Структурні, електрофізичні та оптичні властивості плівок CdZnTe та приладові структури на їх основі
Authors Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych  
ORCID http://orcid.org/0000-0002-6866-0414
Keywords детектори радіаційного випромінювання
напівпровідники
плівки
структура
Cd1-xZnxTe
оптичні властивості
електрофізичні властивості
елементний склад
детекторы радиационного излучения
полупроводники
пленки
структура
оптические свойства
электрофизические свойства
элементный состав
radiation detectors
semiconductors
films
structure
optical properties
electrophysical properties
elementary composition
Type Synopsis
Date of Issue 2019
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/72761
Publisher Сумський державний університет
License
Citation Знаменщиков, Я.В. Структурні, електрофізичні та оптичні властивості плівок CdZnTe та приладові структури на їх основі [Текст]: автореферат ... канд. фіз.-мат. наук, спец.: 01.04.01 – фізика приладів, елементів і систем / Я.В. Знаменщиков. - Суми: СумДУ, 2019. - 22 с.
Abstract Дисертаційна робота присвячена комплексному дослідженню структурних, електрофізичних та оптичних властивостей полікристалічних плівок Cd1-xZnxTe (CZT) для використання в детекторах радіаційного випромінювання, встановленню впливу елементного складу на фізичні властивості плівок, визначенню параметрів основних пасткових центрів, що впливають на проходження струму в матеріалі. Установлені взаємозв’язки між елементним складом плівок CZT та їх структурними, субструктурними, оптичними, електричними властивостями можуть бути використані для подальшого створення детекторів радіаційного випромінювання та інших приладів оптоелектроніки. Створено прототипи чутливих до радіаційного випромінювання детекторів на основі товстих плівок CZT. Показано, що вимірювання фоточутливості може бути використане для оцінювання детекторних властивостей полікристалічних плівок CZT з метою подальшого їх використання як детекторів радіації. Уперше проведено моделювання процесу рекомбінації нерівноважних носіїв заряду в детекторних структурах на основі плівок твердих розчинів. У результаті моделювання визначено параметри основних пасткових центрів, що впливають на проходження електричного струму в матеріалі.
Диссертационная работа посвящена комплексному исследованию структурных, электрофизических и оптических свойств поликристаллических пленок Cd1-xZnxTe (CZT) для использования в детекторах радиационного излучения, изучению влияния элементного состава на физические свойства пленок, определению параметров основных ловушечных центров, влияющих на протекание тока в материале. Установленые взаимосвязи между элементным составом пленок CZT и их структурными, субструктурными, оптическими, электрическими свойствами могут быть использованы для дальнейшего создания детекторов радиационного излучения и других приборов оптоэлектроники. Изготовлены прототипы чувствительных к радиационному излучению детекторов на основе толстых пленок CZT. Показано, что возбуждающее световое излучение видимого диапазона может быть использовано для оценки детекторных свойств поликристаллических пленок CZT с целью дальнейшего их использования в качестве детекторов радиации. Впервые проведено моделирование процесса рекомбинации неравновесных носителей заряда в детекторных структурах на основе пленок CZT. В результате моделирования были определены параметры доминирующих ловушечных центров, влияющих на протекание электрического тока в материале.
The PhD thesis is devoted to the complex study of structural, electrophysical and optical properties of polycrystalline Cd1-xZnxTe (CZT) films for application in radiation detectors, determination of the chemical composition effect on physical properties of the films, determination of the parameters of free-carriers trap centers influencing the current flow in the material. The established relationships between the chemical elemental composition of CZT films and their structural, microstructural, optical, and electrical properties can be used for the further development of radiation detectors and other optoelectronic devices. The prototypes of radiation detectors based on thick CZT polycrystalline films have been manufactured. The modeling of the recombination process of nonequilibrium charge carriers in detector structures based on CZT films was carried out for the first time. As a result of modeling, the parameters of the main trap centers, which influence the flow of electric current in the material, have been determined.
Appears in Collections: Автореферати

Views

Finland Finland
1
France France
1
Germany Germany
1125971
Ireland Ireland
44330
Lithuania Lithuania
1
Singapore Singapore
15696765
Sweden Sweden
1
Ukraine Ukraine
7935677
United Kingdom United Kingdom
4012170
United States United States
89042456
Unknown Country Unknown Country
9545

Downloads

France France
5451
India India
1
Ireland Ireland
1
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
15696764
United Kingdom United Kingdom
4012169
United States United States
89042456
Unknown Country Unknown Country
29

Files

File Size Format Downloads
avtoref_Znamenshchykov.pdf 1,25 MB Adobe PDF 108756872

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.