Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/70917
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title p-i-n Photodiode Based on Silicon with Short Rise Time
Other Titles p-i-n фотодіод на основі кремнію з малим часом зростання
p-i-n фотодиод на основе кремния с малым временем нарастания
Authors Dobrovolsky, Yu.G.
Andreeva, O.P.
Gavrilyak, M.S.
Pidkamin, L.J.
Prokhorov, G.V.
ORCID
Keywords photodiode
rise time
boundary frequency
current-generation
фотодіод
час зростання
гранична частота
генерація струму
фотодиод
время нарастания
граничная частота
генерация тока
Type Article
Date of Issue 2018
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/70917
Publisher Sumy State University
License
Citation p-i-n Photodiode Based on Silicon with Short Rise Time [Текст] / Yu.G. Dobrovolsky, O.P. Andreeva, M.S. Gavrilyak [et al.] // Журнал нано- та електронної фізики. - 2018. - Т.10, № 4. - 04019. - DOI: 10.21272/jnep.10(4).04019.
Abstract Досліджено та проаналізовано фактори, що впливають на час виникнення фотодіоду. Використовуючи отримані результати, був розроблений фотодіод на основі високомічного кремнію провідності p-типу з мінімальним часом підйому. Пропонована конструкція. містить контак т на задній частині кристала фотодіода, який не є безперервним, але має отвір. Такою дірою є проекція світлочутливого елемента на зворотній стороні кристала фотодіоду. Значення часу підйому цього фотодіоду не перевищує 9 нс порівняно з 37 нс у аналозі FD-255A.
Исследованы и проанализированы факторы, которые влияют на время нарастания фотодиода. Используя полученные результаты, был разработан фотодиод, основанный на высокоомном кремнии с проводимостью р-типа с минимальным временем нарастания. Предлагаемая конструкция. содержит контакт на задней части кристалла фотодиода, который не является непрерывным, но имеет отверстие. Такая дырка представляет собой проекцию светочувствительного элемента на обратной стороне кристалла фотодиода. Величина времени нарастания этого фотодиода составляет не более 9 нс по сравнению с 37 нс в аналоге FD-255A.
The factors that influence the rise time of the photodiode are investigated and analyzed. Using the obtained results, a photodiode based on a high-ohmic silicon of p-type conductivity with a minimized rise time has been developed. The proposed construction. contains a contact on the back of the crystal of a photodiode, which is not continuous, but has a hole. Such a hole is the projection of a photosensitive element on the reverse side of the crystal of a photodiode. The value of the rise time of this photodiode is no more than 9 ns compared to 37 ns in the FD-255 A analogue.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Belarus Belarus
21344434
Germany Germany
1
Greece Greece
681
Ireland Ireland
26663
Lithuania Lithuania
1
South Korea South Korea
10672216
Taiwan Taiwan
1
Ukraine Ukraine
4167323
United Kingdom United Kingdom
2119788
United States United States
63843544
Unknown Country Unknown Country
4167322
Vietnam Vietnam
683

Downloads

Belarus Belarus
21344435
Lithuania Lithuania
1
South Korea South Korea
1
Ukraine Ukraine
10672215
United Kingdom United Kingdom
72251
United States United States
106342658
Unknown Country Unknown Country
11
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Dobrovolsky_photodiode.pdf 387,95 kB Adobe PDF 138431573

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.