Формування ниткоподібних оксидних структур на поверхні монокристалічного арсеніду галію

Abstract

У роботі представлено метод формування ниткоподібних оксидних нанокристалітів на поверхні монокристалічного арсеніду галію. Нанодроти було сформовано методом електрохімічного травлення у розчині соляної та бромистої кислот. Оцінено морфологічні властивості отриманих структур та показано можливість застосування їх у якості газових сенсорів. Стабільність властивостей нанодротів забезпечується наявністю оксидної фази на їх верхівках та по поверхні. Нахил нанодротів пояснюється виходячи з стійкості кристалографічних площин їх граней.

В работе представлен метод формирования нитевидных оксидных нанокристаллитов на поверхности монокрсталлического арсенида галлия. Нанопровода были сформированы методом электрохимического травления в растворе соляной и бромистой кислот. Оценены морфологические свойства полученных структур и показана возможность применения их в качестве газовых сенсоров. Стабильность свойств нанопроводов обеспечивается наличием оксидной фазы на их пиках и по поверхности. Наклон нанопроводов объясняется исходя из устойчивости кристаллографических плоскостей их граней.

The method of forming filamentary oxide nanocrystals on a surface of monocrystalline gallium arsenide. Nanowires were formed by electrochemical etching in hydrochloric acid and methyl. Reviewed morphological properties of the structures and the possibility of their use as gas sensors. The stability properties of nanowires is ensured by the oxide phase at their tops and on the surface. The slope of the nanowires is explained on the basis of the stability of crystallographic planes of their faces.