CdTe Based X/γ-ray Detector with MoO[x] Contacts

Maslyanchuk, O.L.; Solovan, M.M.; Brus, V.V.; Maistruk, E.V.; Solodin, S.V.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65885

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	CdTe Based X/γ-ray Detector with MoO[x] Contacts
Other Titles	CdTe детекторы X/γ излучения с MoOx контактами CdTe детектори X/γ випромінювання з MoOx контактами
Authors	Maslyanchuk, O.L. Solovan, M.M. Brus, V.V. Maistruk, E.V. Solodin, S.V.
ORCID
Keywords	CdTe MoOx Radiation detector Детектори випромінювання Детекторы излучения Schottky diodes Діоди Шотткі Диоды Шоттки Charge transport Перенос заряду Перенос заряда Space-charge-limited currents Струми обмежені просторовим зарядом Токи ограниченные пространственным зарядом
Type	Article
Date of Issue	2017
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65885
Publisher	Sumy State University
License
Citation	CdTe Based X/γ-ray Detector with MoO[x] Contacts [Текст] / O.L. Maslyanchuk, M.M. Solovan, V.V. Brus [et al.] // Журнал нано- та електронної фізики. - 2017. - Т.9, № 3. - 03035. - DOI: 10.21272/jnep.9(3).03035.
Abstract	The electrical characteristics of the Mo-MoOx/р-CdTe/MoOx-Mo heterostructures, manufactured by magnetron sputtering of molybdenum oxide thin films on CdTe semi-insulating crystals produced by Acrorad Co. Ltd were studied. Optimization of substrate conditions pretreatment and contacts deposition allowed to reduce the dark current of the detectors compared with earlier analogs and, consequently, to improve its spectrometric characteristics. The charge transport mechanisms for ensuring the low values of reverse currents in the structures were determined: the generation-recombination in the space charge region (SCR) at relatively low voltages and currents limited by the space charge at high voltages. It is shown that the heterostructure Mo-MoOx/р-CdTe/MoOx-Mo can be used for practical applications in the X- and γ-ray detectors. Досліджено електричні характеристики гетероструктур Mo-MoOx/р-CdTe/MoOx-Mo, виготовлених методом магнетронного напилення плівок оксиду молібдену на напівізолюючі кристали CdTe виробництва Acrorad Co. Ltd. Оптимізація умов попередньої обробки підкладинок і нанесення контактів дозволила зменшити темновий струм детектора у порівнянні з раніше отриманими аналогами і, як наслідок, покращити його спектрометричні характеристики. Проаналізовано механізми переносу заряду, які забезпечують низькі значення зворотного струму в досліджуваних структурах: генерація-рекомбінація в області просторового заряду (ОПЗ) при відносно низьких напругах і струми, обмежені просторовим зарядом, при високих напругах. Показано, що гетероструктури Mo-MoOx/р-CdTe/MoOx-Mo можуть бути використані для практичного застосування в детекторах X- и γ-випромінювання. Исследованы электрические характеристики гетероструктур Mo-MoOx/р-CdTe/MoOx-Mo, изготовленных методом магнетронного напыления пленок оксида молибдена на полуизолирующие кристаллы CdTe производства Acrorad Co. Ltd. Оптимизация условий предварительной обработки подложек и нанесения контактов позволила уменьшить темновой ток детектора по сравнению с ранее полученными аналогами и, как следствие, улучшить его спектрометрические характеристики. Проанализированы механизмы переноса заряда, обеспечивающие низкие значения обратных токов в исследуемых структурах: генерация-рекомбинация в области пространственного заряда (ОПЗ) при относительно низких напряжениях и токи, ограниченные объемным зарядом, при высоких напряжениях. Показано, что гетероструктуры Mo-MoOx/р-CdTe/MoOx-Mo могут быть использованы для практического применения в детекторах X- и γ-излучения.
Appears in Collections:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)