Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64232
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Formation of porous zinc nanosystems using direct and reverse flows of DC magnetron sputtering
Other Titles Формування наносистем цинку з використанням прямих та обернених потоків магнетрона на постійному струмі
Authors Latyshev, Vitalii Mykhailovych  
Perekrestov, Viacheslav Ivanovych
Korniushchenko, Hanna Serhiivna  
Zahaiko, Inna Volodymyrivna
ORCID http://orcid.org/0000-0003-1385-8981
http://orcid.org/0000-0002-2996-1003
Keywords metals
zinc
nanomaterials
magnetron sputtering
crystal morphology
метали
цинк
наноматеріали
металлы
наноматериалы
магнетронное распыление
морфология кристалла
Type Article
Date of Issue 2017
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64232
Publisher STC Institute for single Crystals
License
Citation Formation of porous zinc nanosystems using direct and reverse flows of DC magnetron sputtering [Текст] / V.M. Latyshev, V.I. Perekrestov, A.S. Korniushchenko, I.V. Zahaiko // Functional materials. — 2017. — №24(1). — P. 154-161.
Abstract У роботі проведено порівняльний аналіз двох механізмів структуроутворення наносистем Zn. У першому класичному варіанті формування наносистем відбувалося на підігрітих підкладках, які розташовані перед магнетронним розпилювачем. Другий варіант заснований на конденсації обернених дифузійних потоків розпиленої речовини на підкладки, які розташовані у порожнині магнетронного розпилювача. Показано, що у порівнянні з класичним варіантом, використання обернених дифузійних потоків призводить до більш вісокої відтворюваності технологічного процесу і до суттєвого підвищення швидості нарощування наносистем.
The work is devoted to comparative analysis of two technological solutions for Zn nanosystems formation which have been implemented on the basis of direct-current magnetron sputtering. In the first case, conventional magnetron sputtering was used and direct flows were deposited on the substrate positioned in the front of sputterer. In the second case, reverse flows were used and the substrate was located inside the magnetron sputterer. It has been shown experimentally, that the second technological approach gives more reproducible results as compared to the classical one. In addition, usage of the reverse flows leads to significant increase in the nanosystems deposition rates
Appears in Collections: Наукові видання (ЕлІТ)

Views

China China
1343322431
Czechia Czechia
4482113
France France
1
Germany Germany
138071386
Greece Greece
1
Hong Kong SAR China Hong Kong SAR China
40670
Ireland Ireland
42828284
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
81341
Romania Romania
1
Singapore Singapore
-636313546
Slovakia Slovakia
8094
Sweden Sweden
1
Ukraine Ukraine
70215
United Kingdom United Kingdom
1201681122
United States United States
1343322432
Unknown Country Unknown Country
62
Vietnam Vietnam
325371

Downloads

China China
1
France France
643668841
Germany Germany
457664746
India India
4482111
Ireland Ireland
85656564
Lithuania Lithuania
1
Mexico Mexico
1
Poland Poland
1
Russia Russia
1
Slovakia Slovakia
829672929
South Africa South Africa
1
Taiwan Taiwan
4482116
Ukraine Ukraine
134827
United Kingdom United Kingdom
1201681120
United States United States
1343322433
Unknown Country Unknown Country
69
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Latyshev_Formation of porous.pdf 756,82 kB Adobe PDF 275798467

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.