Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45769
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Влияние условий закалки на кинетику формирования доменной структуры сегнетиэлектриков при фазовых переходах первого рода
Authors Мазур, О.Ю.
Стефанович, Л.И.
ORCID
Keywords кристали
кристаллы
crystals
кінетика
кинетика
kinetics
Type Conference Papers
Date of Issue 2016
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45769
Publisher Сумский государственный университет
License
Citation Мазур, О.Ю. Влияние условий закалки на кинетику формирования доменной структуры сегнетиэлектриков при фазовых переходах первого рода [Текст] / О.Ю. Мазур, Л.И. Стефанович // Фізика, електроніка, електротехніка: матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 18-22 квітня 2016 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. - Суми: СумДУ, 2016. - С. 37.
Abstract Известно, что при быстром охлаждении сегнетоэлектрических кристаллов формируется доменная структура. Термодинамика этого процесса изучена достаточно детально, а кинетика релаксации образца из неравновесного состояния к равновесному остается до конца невыясненной. Данная работа посвящена исследованию влияния начальных условий на кинетику упорядочения сегнетоэлектриков типа порядок-беспорядок при фазовом переходе первого рода.
Appears in Collections: Наукові видання (ЕлІТ)

Views

Canada Canada
1
China China
1
France France
1
Germany Germany
265425
Ireland Ireland
149863
Lithuania Lithuania
1
Russia Russia
2
Thailand Thailand
1
Ukraine Ukraine
1894490
United Kingdom United Kingdom
947922
United States United States
5417621
Unknown Country Unknown Country
1894489

Downloads

Belarus Belarus
1
China China
265420
Germany Germany
3
Ireland Ireland
34308
Lithuania Lithuania
1
Russia Russia
1
Ukraine Ukraine
5417621
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
5417622
Unknown Country Unknown Country
265427

Files

File Size Format Downloads
Mazur_kinetics.pdf 439,3 kB Adobe PDF 11400405

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.