Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/41462
Title: Получение пленок карбида кремния методом магнетронного распыления составной углерод-кремниевой мишени
Other Titles: Отримання плівок карбіду кремнію методом магнетронного розпилення складового вуглець-кремнієвої мішені
Formation of Silicon Carbide Films by Magnetron Sputtering of Compound Carbon-silicon Target
Authors: Perekrestov, Viacheslav Ivanovych
Korniushchenko, Hanna Serhiivna
Zahaiko, Inna Volodymyrivna
Keywords: MS Карбид кремния
Магнетронное распыление
Составная мишень
Малые пересыщения
Стехиометрия
Фазовый состав
Элементный состав
MS карбід кремнію
Магнетронне розпилення
Складова мішені
Малі пересичення
Стехіометрія
Фазовий склад
Елементний склад
Silicon carbide
Magnetron sputtering
Compound target
Low supersaturation
Stoichiometry
Phase composition
Elemental composition
Issue Year: 2015
Publisher: Сумский государственный университет
Citation: В.И. Перекрестов, А.С. Корнющенко, И.В. Загайко, Ж. нано- электрон. физ. 7 № 2, 16 (2015)
Abstract: У роботі проаналізовано відомі методи отримання конденсатів SiC, політипу цього з'єднання, а також запропонована методика отримання карбіду кремнію за допомогою магнетронного розпилення складових мішеней. Наведено розрахунки оптимальних геометричних характеристик складеної з кремнію і графіту мішені для магнетронного розпилення. За результатами дослідження структури конденсатів SiC за допомогою ПЕМ і дифракції електронів, а також на підставі визначення елементного складу при використанні енерго-дисперсійного аналізу були уточнені геометричні характеристики складової мішені, а також встановлені оптимальні технологічні умови отримання конденсатів у вигляді політипу 3С-SiC, з близьким до стехіометричного елементним складом.
В работе проанализированы известные методы получения конденсатов SiC, политипы этого соединения, а также предложена методика получения карбида кремния посредством магнетронного распыления составных мишеней. Приведены расчеты оптимальных геометрических характеристик составленной из кремния и графита распыляемой магнетроном мишени. По результатам исследования структуры конденсатов SiC при помощи ПЭМ и дифракции электронов, а также на основании определения элементного состава при использовании энерго-дисперсионного анализа были уточнены геометрические характеристики составной мишени, а также установлены оптимальные технологические условия получения конденсатов в виде политипа 3С-SiC, с близким к стехиометрическому элементным составом.
In the proposed work conventional methods of SiC layers formation and polytypes of this compound have been reviewed. A new methodology of silicon carbide obtaining has been proposed. It is based on magnetron sputtering of compound targets. The optimal geometrical characteristics of the compound targets made of silicon and graphite have been calculated. The condensates structure and composition were studied with help of transmission electron microscopy (TEM), electron diffraction along with the energy dispersive X-ray elemental analysis. On the basis of the investigations the geometrical characteristics of the compound target and the optimal technological parameters required for the formation of silicon carbide in the form of 3С-SiC polytype with element composition close to stoichiometric have been determined.
URI: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/41462
Type: Article
Appears in Collections:Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views
Other6
Belarus1
Canada1
Czech Republic1
Germany4
France2
United Kingdom1
Italy1
Kazakhstan1
Russia8
Ukraine11
United States1
Downloads
Belarus1
China8
Germany2
EU1
Russia10
Ukraine10
United States2


Files in This Item:
File Description SizeFormatDownloads 
Perekrestov.pdf539.16 kBAdobe PDF34Download


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.