Показаны результаты 1 - 5 из 5
Год выпуска | Название | Автор(ы) | Тип | Просмотров | Загружено |
---|---|---|---|---|---|
2013 | Вплив протонів низьких енергій на параметри гетероструктури GaSe-InSe | Сидор, О.М.; Сидор, О.А.; Ковалюк, З.Д.; Дубінко, В.І. | Conference Papers | 8988585 | 9775392 |
2015 | Гомоперехід n-InSe–p-InSe : Cd з ефективністю 2,8 % | Сидор, О.М. | Conference Papers | 18072153 | 24523274 |
2017 | Спосіб отримання тонкоплівкових гетероперехідних (гп) структур n-SnS2/p-SnS методом лазерного опромінення вихідного матеріалу SnS2 | Возний, Андрій Андрійович; Voznyi, Andrii Andriiovych; Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych | Patent | 28144051 | 30060191 |
2016 | Фотоелектричні властивості гетероструктури p-GaTe - n-InSe | Кушнір, Б.В. | Conference Papers | 11987186 | 16658010 |
2018 | Фотоефект у приладовій структурі на основі гетеропереходу SnS/CdS | Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Возний, Андрій Андрійович; Voznyi, Andrii Andriiovych; Yeromenko, Yurii Serhiiovych; Подопригора, О.О.; Фролов, А.І. | Conference Papers | 431114 | 330985 |